特許

J-GLOBAL ID：200903065607882843

可溶性セクシチオフェン誘導体およびそれを用いた薄膜電界効果トランジスタ

発明者： アリ・アフザリ-アルダカニ ,  トリシア・リン・ブリーン ,  シェリー・レニー・カーガン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-209836
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100782
出願日： 2001年07月10日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 ソルベント・キャスティングに適する一般的な有機溶媒への溶解度が非常に大きい様々なα-ω置換セクシチオフェンの合成と、その有機薄膜電界効果トランジスタの半導体チャネルとしての使用法を提供する。【解決手段】 末端炭素が様々な極性基で置換されている可溶性セクシチオフェン誘導体が合成され、この様々な極性基は、ホスホン酸エステルやホスホン酸、ホスホネート、カルボン酸、カルボキシレート、アミン、アミド、カルバメート、アルコールなどであり、C1〜10のメチレン基によって末端チオフェン環から隔てられている。上記セクシチオフェン誘導体の被膜は半導体構成要素として使用される。これらの有機半導体は一般的な有機溶媒に溶解し、スピン・コーティングやディップ・コーティング、ドロップ・キャスティング、マイクロコンタクト・プリンティング等の、低コストな低温溶液処理で基板表面に塗布される。

請求項（抜粋）：

末端チオフェン環のα-炭素およびω-炭素が、アルキル基の末端炭素に極性官能基を有する当該アルキル基で置換されている、セクシチオフェン誘導体を含む構造体。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00 ,  C07D333/16 ,  C07D333/20 ,  C07D333/24 ,  C07F 9/6553

FI (6件)：

C07D333/16 ,  C07D333/20 ,  C07D333/24 ,  C07F 9/6553 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28

Fターム (17件)：

4C023BA04 ,  4C023CA04 ,  4C023EA11 ,  4H050AB91 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110CC04 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-146004   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-133351
  
• 有機薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331398   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

審査官引用 (5件)

• 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-146004   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-133351
  
• 特開平4-133351
  
• 有機薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331398   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 特開平4-133351