特許

J-GLOBAL ID：200903065616088122

半導体装置

発明者： 井上 俊輔
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213548
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050417
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】 キャリアの高移動度とキャリアの寿命の短縮化との両立を図った半導体装置を得る。【構成】 絶縁面上の半導体薄膜の少なくとも一部を活性領域102として用いる半導体装置において、前記活性領域102の少なくとも一部に接する、キャリアライフタイムが前記活性領域より小さい低ライフタイム領域120を設ける。

請求項（抜粋）：

絶縁面上の半導体薄膜の少なくとも一部を活性領域として用いる半導体装置において、前記活性領域の少なくとも一部に接する、キャリアライフタイムが前記活性領域より小さい低ライフタイム領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/84 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 21/84