半導体集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015715
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213555
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】異なる電源電圧で動作する外部デバイスが供給する信号電圧を、それと異なる電源電圧で規定される信号に変換する場合に、半導体素子の信頼性上問題なく処理が行え、レイアウト設計が容易な信号レベル変換機能付きの半導体集積回路を得る。【構成】 PMOSトランジスタMP15はPMOSトランジスタMP14のドレイン電極にソース電極を接続し、ゲート電極をNMOSトランジスタMN15のドレイン電極(接続点N13)に接続し、出力端子4にドレイン電極を接続する。そした、PMOSトランジスタMP15は、バックゲートをソースと同じく接続点N14に接続することによりバックゲート電位をソース電位と同電位になるように設定している。

請求項（抜粋）：

第1の電源電位と該第1の電源電位より低い接地電位とにより“H”,“L”が規定される入力信号を受ける入力端子と、前記第1の電源電位より低く前記接地電位より高い第2の電源電位と前記接地電位とにより“H”,“L”が規定される出力信号の出力用の出力端子と、前記第2の電源電位を供給する電源端子と、前記接地電位を供給する接地端子と、制御電極が前記入力端子に接続され、一方電極が前記電源端子に接続される第1の導電型の第1のMOSトランジスタと、一方電極が前記第1のMOSトランジスタの他方電極に接続され、他方電極が前記出力端子に接続される第1の導電型の第2のMOSトランジスタと、一方電極が前記接地端子に接続され、他方電極が前記第2のMOSトランジスタの他方電極に接続される第2の導電型の第3のMOSトランジスタと、制御電極が前記電源端子に接続され、一方電極が前記第2のMOSトランジスタの他方電極及び前記第3のMOSトランジスタの他方電極に接続され、他方電極が前記入力端子に接続される第2の導電型の第4のMOSトランジスタとを備え、前記第1のMOSトランジスタのバックゲートは前記第2の電源電位側にバイアスされ、前記第3及び第4のMOSトランジスタのバックゲートは前記接地電位側にバイアスされ、前記第2のMOSトランジスタのバックゲートは、一方電極に電気的に接続されることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H03K 19/0185

FI (3件)：

H01L 27/04 H , H01L 27/08 321 L , H03K 19/00 101 D

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