特許

J-GLOBAL ID：200903065623735265

フォトレジストアッシング残滓洗浄剤

発明者： 見神 一郎 ,  山下 喜文 ,  野仲 徹
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373463
公開番号（公開出願番号）：特開2000-194144
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】フォトレジストアッシング残滓の洗浄性が高く、また、導電性膜、絶縁膜等の下地の腐食の防止効果も高く、洗浄時間の許容幅が長いフォトレジストアッシング残滓洗浄剤を開発すること。【解決手段】a)フッ化アンモニウム化合物、b)カチオン部分がアンモニウム塩型であり、アニオン部分がカルボン酸塩型である両性イオン系界面活性剤、例えばベタイン型両性イオン系界面活性剤、及びc)フッ素系カチオン性界面活性剤の水溶液からなるフォトレジストアッシング残滓洗浄剤。

請求項（抜粋）：

a)フッ化アンモニウム化合物、b)カチオン部分がアンモニウム塩型であり、アニオン部分がカルボン酸塩型である両性イオン系界面活性剤、及びc)フッ素系カチオン性界面活性剤の水溶液からなるフォトレジストアッシング残滓洗浄剤。

IPC (9件)：

G03F 7/42 ,  C11D 1/38 ,  C11D 1/62 ,  C11D 1/90 ,  C11D 1/94 ,  C11D 3/04 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (10件)：

G03F 7/42 ,  C11D 1/38 ,  C11D 1/62 ,  C11D 1/90 ,  C11D 1/94 ,  C11D 3/04 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/30 572 Z ,  H01L 21/306 D

Fターム (21件)：

2H096LA03 ,  2H096LA30 ,  4H003AA02 ,  4H003AC11 ,  4H003AC23 ,  4H003AD04 ,  4H003AE05 ,  4H003AE07 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003DB03 ,  4H003EA05 ,  4H003ED02 ,  4H003FA15 ,  5F043BB27 ,  5F043BB28 ,  5F043CC16 ,  5F043DD15 ,  5F043GG10 ,  5F046MA11