特許
J-GLOBAL ID：200903065643733641
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259083
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097579
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：
【要約】【目的】 ガス分析装置などの高価で複雑なエッチング終点検出手段が不要な半導体製造装置を得る。【構成】 成膜シーケンス制御部6bと堆積膜厚算出部6bにより、クリーニングする反応室1の内壁に堆積した膜の厚さを算出し、エッチング時間決定部7bでクリーニングのためのエッチング時間を決定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を置きそれに成膜処理を行なう反応室と、前記成膜処理の成膜諸条件を制御する成膜制御手段と、前記反応室の内壁に堆積した膜をクリーニングするクリーニング手段と、成膜処理毎の堆積膜厚を累積していく成膜量累積手段と、前記成膜累積手段により累積した堆積膜厚から前記クリーニング手段の動作時間を決めるクリーニング時間制御手段とを有する半導体製造装置。
IPC (4件)：
C30B 25/18
, C30B 25/02
, C30B 25/10
, H01L 21/205
