特許

J-GLOBAL ID：200903065654761531

半導体基板の処理システムおよび処理方法

発明者： 小西 瞳子 ,  伴 功二 ,  浅岡 保宏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277555
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121417
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板のウエット洗浄およびエッチングプロセスにおいて、基板表面荒れを防止し歩留まりを向上させる処理システムを得る。【解決手段】 オゾン発生手段11と、このオゾンを半導体基板の処理用の薬液又は純水に溶解させるエジェクタ10と、オゾンが溶解した薬液又は純水に紫外線を照射して薬液又は純水中のオゾンの濃度を制御する紫外線照射手段9と、オゾン濃度が制御された薬液又は純水により半導体基板を処理する処理槽5とを備えた。

請求項（抜粋）：

オゾンを発生させるオゾン発生手段と、このオゾンを半導体基板処理用の薬液又は純水に溶解させるオゾン溶解手段と、上記オゾンが溶解した薬液又は純水に紫外線を照射して上記薬液又は純水中のオゾンの濃度を制御する濃度制御手段と、上記オゾン濃度が制御された薬液又は純水が供給され内部に収納された半導体基板を処理する基板処理槽とを備えたことを特徴とする半導体基板の処理システム。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 S ,  H01L 21/304 341 T