特許

J-GLOBAL ID：200903065665714861

漏洩磁束による欠陥探傷方法及び装置

発明者： 横田 廣幸
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058181
公開番号（公開出願番号）：特開2002-257790
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】 エッジに起因する異常信号をマスクするためのマスクを、エッジに追従させ、蛇行等の発生があっても、最小限のマスク量で検査を可能とする。【解決手段】 帯状材の有無による地合いノイズの違いを検出して、帯状材のエッジ位置を検出し、エッジ部に発生する異常信号をマスクする。

請求項（抜粋）：

帯状材の欠陥によって生ずる漏洩磁束を感知して欠陥を検出する、漏洩磁束による欠陥探傷方法において、帯状材の有無による地合いノイズの違いを検出して、帯状材のエッジ位置を検出し、エッジ部に発生する異常信号をマスクすることを特徴とする、漏洩磁束による欠陥探傷方法。

Fターム (7件)：

2G053AA11 ,  2G053AB22 ,  2G053BA02 ,  2G053BA15 ,  2G053CB12 ,  2G053CB22 ,  2G053DB02