特許
J-GLOBAL ID:200903065667346118

反射防止膜材料用組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-343738
公開番号(公開出願番号):特開平10-186671
出願日: 1996年12月24日
公開日(公表日): 1998年07月14日
要約:
【要約】【課題】 光吸光度が大きく、解像力、膜厚依存性が良好で優れたレジストパターンが得られ、大きなドライエッチング速度を有する反射防止膜材料用組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法。【解決手段】 ナフタレン環を有する特定の構造の基を有する高分子化合物を含有する反射防止膜材料用組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成法。
請求項(抜粋):
下記一般式(I)又は一般式(II)で示される構造を側鎖に有する高分子化合物を含むことを特徴とする反射防止膜材料用組成物。【化1】【化2】式(I)あるいは(II)において、Wは高分子主鎖への連結基を表し、Yは酸素原子、イオウ原子または=N-Vを表し、Z1 、Z2 は同一でも異なってもよく電子供与性基を表し、mは0〜2、nは0〜3の整数を表す。m、nが2〜3の場合、Z1 、Z2 はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Vは-OH、-NH2 または炭素数1〜20の直鎖、分岐、環状のいずれでもよいアルキル基(これらは置換基を有していてもよい)、置換基を有していてもよい炭素数5〜14の芳香環基あるいはヘテロ芳香環基、または炭素数1〜20のアルコキシ基を表す。
IPC (5件):
G03F 7/11 503 ,  C09D 5/00 ,  C09D201/06 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/027
FI (5件):
G03F 7/11 503 ,  C09D 5/00 M ,  C09D201/06 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/30 574
引用特許:
出願人引用 (5件)
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