特許
J-GLOBAL ID：200903065670506282
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098500
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178213
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗なp型としている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、気相成長法により、基板上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、水素の結合されたp型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層が成長されている。成長されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層は、全体がアニーリングされて、p型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層からp型不純物と結合している水素が除去され、水素の結合されないp型不純物によって、p型窒化ガリウム系化合物半導体層となっている。
請求項（抜粋）：
気相成長法により、基板上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型不純物および水素を含む窒化ガリウム系化合物半導体層とが成長され、成長されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体がアニーリングされて、p型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層からp型不純物と結合している水素が除去されて、水素の結合されないp型不純物を含むようになっているp型窒化ガリウム系化合物半導体層を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/324
, H01S 3/18
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, H01L 21/324 C
, H01S 3/18
, H01L 21/205
