特許

J-GLOBAL ID：200903065671050649

耐割損性のすぐれた半導体装置の誘電薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材

発明者： 三島 昭史 ,  森 暁 ,  渡辺 和男
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-171123
公開番号（公開出願番号）：特開平7-003444
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月06日
要約：

【要約】【目的】 熱歪に対してすぐれた耐割損性を示す半導体装置の誘電薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材を提供する。【構成】 半導体装置の誘電薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材が、不可避不純物の含有量が90ppm 以下の高純度のBaとSrとTiの複合酸化物からなる。

請求項（抜粋）：

高純度のBaとSrとTiの複合酸化物からなり、かつ不可避不純物の含有量が90ppm 以下であることを特徴とする耐割損性のすぐれた半導体装置の誘電薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-257020
  
• 高純度PZT粉末の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-283906   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 特開平3-257020