特許

J-GLOBAL ID：200903065679872265

核形成層を経て形成されたエピタキシャルタリウム高温超電導フィルム

発明者： エディ,マイケル・エム
出願人/特許権者： スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-503989
公開番号（公開出願番号）：特表平10-502326
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】低い表面抵抗と高RF電流密度での直線的応答特性とを有するHTSフィルム(4)を含むマイクロウェーブ及び/又はRF応用に適した装置を提供するため装置及び方法を提供する。広く、第1に、支持層(1)上に核生成層として使用されるYBCO(2)(或いは構造的類似物)の中間層をインシテュ形成すること、及び、第2に、先行層(2)蒸着により中間層上にタリウムと酸化銅とを基礎としたフィルム(4)を形成して後結晶化のために蒸着後熱処理を行う2段階法である。

請求項（抜粋）：

以下の段階を含み、支持体上にタリウムと酸化銅物とを基礎としたエピタキシャル超電導フィルムを形成する方法: (1) 支持体上にYBCO類似物のエピタキシャル層を形成すること、 (2) YBCO類似物層上にタリウムと酸化銅とを基礎とする超電導体先行層の層を蒸着すること、 (3) タリウムと酸化銅とを基礎とする超電導体先行層を結晶化して、タリウムと酸化銅とを基礎とする超電導フィルムのエピタキシャル層を形成すること。

IPC (7件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 15/00 ZAA ,  C23C 14/08 ,  C30B 25/18 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA

FI (7件)：

C30B 29/22 501 L ,  C01G 1/00 S ,  C01G 15/00 ZAA C ,  C23C 14/08 L ,  C30B 25/18 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA B