特許

J-GLOBAL ID：200903065683449857

SAWデバイス

発明者： 高山 了一 ,  須川 俊夫 ,  倉増 敬三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289484
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135143
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 大電力印加に耐え、挿入損失の増加も防止できるインターディジタルトランスデューサ電極を用いたSAWデバイスを提供することを目的とする。【解決手段】 圧電体基板1の表面にアルミニウム膜31〜35と、アルミニウム膜より大きな弾性定数を有する導電性材料よりなる膜41〜44を、SAWデバイスの動作時に電極に負荷される応力の分布に従って、各層の膜厚を変化させて交互に積層したインターディジタルトランスデューサ電極2を形成する事により高い耐電力性が得られる。

請求項（抜粋）：

圧電体基板と、前記圧電体基板の表面上に設けたインターディジタルトランスデューサ電極を有し、前記インターディジタルトランスデューサ電極がアルミニウム膜とこのアルミニウム膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料よりなる膜を交互に積層してなり、かつ前記導電体材料よりなる膜及び前記アルミニウム膜の積層数が各々少なくとも2層以上である構造を有するSAWデバイスにおいて、前記SAWデバイス動作時に電極に負荷される応力の膜厚方向の分布に従い各層の膜厚を変化させたことを特徴とするSAWデバイス。

IPC (3件)：

H03H 9/145 ,  H03H 9/25 ,  H03H 9/64

FI (3件)：

H03H 9/145 C ,  H03H 9/25 Z ,  H03H 9/64 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-288718
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-020833   出願人：日本電気株式会社
• 表面弾性波素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-268542   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-003510