特許
J-GLOBAL ID：200903065696073880
樹脂封止型半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339815
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178030
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】混成集積回路基板とパワートランジスタを同時にモールド成形し、小型かつ高い信頼性を両立するために、リードフレーム上下の樹脂肉厚が均等でない構造においても良好な成形を行うことができるようにする。【解決手段】リードフレームFL 上に混成集積回路基板7とパワートランジスタ6とを載置するとともに、ワイヤ9,15にて電気的に接続する。リードフレームFL を上金型1と下金型2との間に挟み込むとともに、キャビティ3におけるエアベント付近からインナーリード13a〜13dを突出させる。ゲート4から樹脂を注入してリードフレームFL の上側と下側に樹脂を通過させ、インナーリード13a〜13dの上面を通過させた後において、リードフレームFL の上側を通過した樹脂とリードフレームFL の下側を通過した樹脂でキャビティ3内を充填する。
請求項（抜粋）：
リードフレームの部品搭載部の上に混成集積回路基板と半導体チップとを実装する工程と、前記リードフレームを成形封止用の上金型と下金型との間に挟み込むとともに、金型にて形成されるキャビティにおけるエアベント付近からインナーリードを突出させる工程と、ゲートから樹脂を注入してリードフレームの上側と下側に樹脂を通過させ、さらに前記インナーリードの上面または下面を通過させた後においてリードフレームの上側を通過した樹脂とリードフレームの下側を通過した樹脂を合流させてキャビティ内を樹脂で充填する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/56
, B29C 45/02
, B29C 45/14
, B29C 45/26
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, B29L 31:34
H01L 21/56 T
, B29C 45/02
, B29C 45/14
, B29C 45/26
, H01L 23/30 R
