特許

J-GLOBAL ID：200903065696086680

光起電力装置

発明者： 能口 繁 ,  岩多 浩志 ,  佐野 景一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331939
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167091
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は光起電力装置の出力特性にとって、光の入射側ということで、特に重要となるp/i界面のバンドギャップの連続性を十分に保つことによって、光起電力装置の光電変換効率を向上させることをその目的とする。【構成】 シリコンを主体とする非晶質半導体のp層、i層、n層を順次積層した光起電力装置において、少なくともp層に接したi層の一部領域が、非晶質カーボン・シリコン・ゲルマニュウム(a-CSiGe)からなり、上記i層の一部領域中において、p層側からn層側に向かって、Cを漸減あるいはまたGeを漸増したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコンを主体とする非晶質半導体のp層、i層、n層を順次積層した光起電力装置において、少なくともp層に接したi層の一部領域が、非晶質カ-ボン・シリコン・ゲルマニュウム(a-CSiGe)からなることを特徴とする光起電力装置。