アッシング方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332014
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172960
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】レジスト膜現像後のスカム5等の有機物残渣を、被処理基板上から均一性よく除去するアッシング方法を提供する。【解決手段】平行平板型プラズマアッシング装置の電極間距離Gp、ガスの処理圧力を所定範囲内に設定してアッシングを施す。【効果】低エッチングレートでの高均一性アッシングが可能となる。このため、レジストパターン4の膜減りがなくなり、下地の被エッチング層1のエッチングにおけるパターン変換差が防止される。

請求項（抜粋）：

表面に有機物残渣を有する被処理基板のアッシング方法において、前記被処理基板を、電極間距離が7mm以上13mm以下の平行平板型プラズマアッシング装置の基板ステージ上にセッティングし、酸素を含むガスによりプラズマアッシングすることを特徴とするアッシング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A

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