特許
J-GLOBAL ID：200903065697614842
半導体装置の洗浄方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047297
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333898
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 時間が経過しても洗浄液が劣化しないような半導体基板の洗浄方法を提供する。【構成】 半導体基板の表面を、半導体基板の表面に残存する有機物及び無機物を除去する硫酸及び過酸化水素水と、半導体基板の表面を極微量だけエッチングすることにより半導体基板の表面に残存する残渣及びパーティクルを除去するフッ素を生成するフルオロ硫酸と、水とが含有されている洗浄液によって洗浄する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に残存する有機物及び無機物を除去する強酸及び酸化剤と、半導体基板の表面を極微量だけエッチングすることにより半導体基板の表面に残存する残渣及びパーティクルを除去するフッ素を生成するフルオロ硫酸又は二弗化スルフリルよりなるフッ素含有化合物と、水とを含有する洗浄液によって半導体基板の表面を洗浄することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/306
