特許

J-GLOBAL ID：200903065698033100

成膜装置及び方法

発明者： 山本 敏隆
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (1件)： 井上 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196147
公開番号（公開出願番号）：特開2001-020069
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【課題】 フットプリントの増大を最小限にしつつ、高いスループットで成膜が可能であるとともに、基板の簡易な受け渡しを可能にする成膜装置を提供すること。【解決手段】 同一の成膜を行うデポアップ型のイオンプレーティング装置3、4を備えるので、成膜のスループットを高めることができる。また、反転された基板Wを第2搬送装置5によってイオンプレーティング装置3、4のいずれかの上方位置に移送するので、両イオンプレーティング装置3、4に基板Wを振り分けて搬出入するための搬送空間S1が処理空間S2の上側に配置され、成膜装置全体としてのフットスペースが増大することを防止できる。さらに、第1搬送装置2を気密容器6外に配置して基板Wを反転させるので、第1搬送装置2の構造を簡単にし、かつ、反転の動作を迅速なものとできる。

請求項（抜粋）：

膜形成面を上側にして搬送されてきた基板を反転させて前記膜形成面を下側にする基板取扱装置と、デポアップ型の第1成膜ユニットと、デポアップ型の第2成膜ユニットと、前記基板取扱装置によって反転された基板を前記第1及び第2成膜ユニットのいずれかの上方位置に移送する基板移送装置と、前記第1成膜ユニットと前記第2成膜ユニットと前記基板移送装置とにおいて基板を収容する気密容器とを備える成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 14/56 ,  C23C 14/32 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C23C 14/56 G ,  C23C 14/32 B ,  H01L 21/203 Z

Fターム (10件)：

4K029CA03 ,  4K029DD05 ,  4K029JA01 ,  4K029KA02 ,  4K029KA09 ,  5F103AA02 ,  5F103BB14 ,  5F103BB36 ,  5F103DD28 ,  5F103RR02