特許

J-GLOBAL ID：200903065699114413

高周波用半導体装置

発明者： 森脇 孝雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-261329
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076014
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 高周波特性の劣化が少なく、熱的安定性の高い増幅回路を備えた高周波用半導体装置を提供する。【解決手段】 電力増幅器10のドライバー段12をエミッタ1本の基本HBTが並列接続されたマルチフィンガーHBT121〜12nの多段構成とし、出力段14をエミッタ2本の基本HBTが並列接続されたマルチフィンガーHBT141の1段構成とし、ドライバー段12のエミッタ層とベース層とのpn接合容量の増大を防ぎつつ、出力段14での熱的不均一を少なくすることにより、高周波特性を劣化させずに、熱的安定性の高い電力増幅器14を構成したものである。

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合構造を有する第1のバイポーラトランジスタを複数個並列接続し第1の半導体基板上に配設された増幅回路の第1の部分と、この第1の部分の出力信号を増幅するとともにヘテロ接合構造を有し上記第1のバイポーラトランジスタのエミッタ電極より数の多いエミッタ電極を有する第2のバイポーラトランジスタを複数個並列接続し第2の半導体基板上に配設された増幅回路の第2の部分と、を備えた高周波用半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/082 ,  H01L 29/205 ,  H03F 3/19

FI (4件)：

H01L 29/205 ,  H03F 3/19 ,  H01L 29/72 ,  H01L 27/08 101 B

Fターム (46件)：

5F003AP00 ,  5F003AP05 ,  5F003AP06 ,  5F003BA25 ,  5F003BA92 ,  5F003BB08 ,  5F003BB09 ,  5F003BE05 ,  5F003BE08 ,  5F003BE09 ,  5F003BE90 ,  5F003BF02 ,  5F003BF06 ,  5F003BH01 ,  5F003BH18 ,  5F003BJ01 ,  5F003BJ99 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F082AA06 ,  5F082AA40 ,  5F082BA03 ,  5F082BA33 ,  5F082BA35 ,  5F082BA47 ,  5F082BA48 ,  5F082BC03 ,  5F082CA02 ,  5F082CA03 ,  5F082DA02 ,  5F082FA20 ,  5F082GA02 ,  5F082GA04 ,  5J092AA01 ,  5J092AA41 ,  5J092CA02 ,  5J092FA15 ,  5J092FA16 ,  5J092HA06 ,  5J092MA08 ,  5J092MA19 ,  5J092QA02 ,  5J092QA03 ,  5J092SA14 ,  5J092TA01 ,  5J092TA02