特許
J-GLOBAL ID：200903065702086680
大型で高密度の高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185846
公開番号（公開出願番号）：特開平10-030172
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 高電力でスパッタリングしても剥離および割れが発生することのない大型で高密度の高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 BaTi複合酸化物、SrTi複合酸化物およびBaSrTiの複合酸化物からなる直径:500mmを越える大型で高密度の高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットにおけるSi含有量を25〜70ppmに限定したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
BaおよびTiの複合酸化物からなるペロブスカイト構造を有する高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、Si:25〜70ppmを含有することを特徴とする大型で高密度の高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, C23C 14/08 K
