特許

J-GLOBAL ID：200903065715076586

LC回路を製造する方法

発明者： ホルム,ジェンス,ペーター
出願人/特許権者： ザ ホワイテーカー コーポレーション
代理人 (1件)： 平木 祐輔 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-533948
公開番号（公開出願番号）：特表2000-509554
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：

【要約】インダクタ素子とコンデンサ素子とを互いに隣接して配置し、インダクタ素子を、透磁率の高いフェライトの層(6、8)で構成された強磁性区域によって形成し、フェライトの層の間に電極層(7)を設け、コンデンサ素子を、両側に電極層(4、5)を有する誘電体の層(9)でできた誘電区域によって形成し、前記インダクタ素子およびコンデンサ素子を、テープもしくは厚膜技術によって製造する、LC回路を単一部品の形態で製造する方法を提供する。本発明によると、まず、コンデンサ素子を設け、それらを比較的高い温度で焼結に付したのち、インダクタ素子(6、7、8)を被着し、相当に低めの温度で焼結を実施する。このようにして、二つの区域の間の望まれない反応が回避される。

請求項（抜粋）：

インダクタ素子とコンデンサ素子とを互いに隣接して、インダクタ素子を、透磁率の高いフェライトの層(6、8)で構成された強磁性区域によって形成し、前記フェライトの層の間に電極層(7)を設け、コンデンサ素子を、両側に電極層を有する誘電体の層でできた誘電区域によって形成し、前記インダクタ素子およびコンデンサ素子を、テープもしくは厚膜技術またはそれらの組み合わせによって製造する、LC回路を単一部品の形態で製造する方法であって、まず、コンデンサ素子を設け、それらを比較的高い温度で焼結したのち、インダクタ素子を被着し、相当に低めの温度で焼結を実施することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01G 4/40 ,  H01F 27/00 ,  H01F 41/04

FI (3件)：

H01G 4/40 321 A ,  H01F 41/04 B ,  H01F 15/00 D