特許
J-GLOBAL ID：200903065720632764
フォトマスク製造方法、それによるフォトマスク及びそれを利用した露光方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-347887
公開番号（公開出願番号）：特開2004-133456
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】 ウェーハ上のCDが制御できるフォトマスク製造方法、それによるフォトマスク及びそれを利用した露光方法を提供する。【解決手段】 本発明の一観点による製造方法は、ウェーハ上に露光過程を通じて転写される主パターン150が前面に具現されたフォトマスク基板100を導入し、主パターンに入射される光の照度の分布を変化させるために領域によって異なるパターン密度値を有する透過率調節用のパターンを含んで構成される透過率調節用のパターン200の分布層をフォトマスク基板の背面上に導入する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
主パターンが前面に具現されたフォトマスク基板を導入する段階と、
露光時に使われる照明系の照度の変化値と前記フォトマスク基板の背面に導入される透過率調節用パターンのパターン密度値との相関関係を求める段階と、
前記フォトマスク基板を使用し、露光過程を遂行して前記主パターンの像をウェーハ上に転写する段階と、
前記ウェーハ上に転写されたパターンのCD値の分布を求める段階と、
前記CD値の分布から基準CD値を設定する段階と、
前記CD値を前記基準CD値と比較してCDの偏差を求める段階と、
前記CD値の偏差を縮めるために要求される照度のドロップ値の分布を求める段階と、
前記相関関係を利用して前記照度のドロップ値に対応する前記透過率調節用パターンのパターン密度値の分布を求める段階と、
前記透過率調節用パターンのパターン密度値の分布を実現する透過率調節用パターン分布層を前記フォトマスク基板の背面上に具現する段階と、を含むことを特徴とする、ウェーハ上のCDを制御可能なフォトマスク製造方法。
IPC (3件)：
G03F1/08
, G03F1/14
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G03F1/14 A
, H01L21/30 502P
, H01L21/30 502W
2H095BA01
, 2H095BB01
, 2H095BB36
, 2H095BC28
出願人引用 (18件)
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審査官引用 (18件)
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