特許

J-GLOBAL ID：200903065724074006

シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶

発明者： 児玉 義博 ,  新保 茂樹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-198286
公開番号（公開出願番号）：特開2005-035816
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】低電気抵抗率であっても、面内での電気抵抗率のばらつきが小さいFZシリコン単結晶を低コストかつ高生産性で製造する方法およびシリコン単結晶を提供する。【解決手段】シリコン単結晶の製造方法であって、少なくとも、FZ法によりシリコン単結晶を育成する際にガスドーピングすることにより前記育成するシリコン単結晶の電気抵抗率を第一の電気抵抗率ρoとし、該育成されたシリコン単結晶に中性子照射を行うことによりシリコン単結晶の電気抵抗率を第二の電気抵抗率ρsとすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法、及びFZ法により育成されたシリコン単結晶であって、育成の際にガスドーピングすることによりN型とされたものであり、かつ育成後に中性子照射されたものであることを特徴とするシリコン単結晶。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶の製造方法であって、少なくとも、浮遊帯域融解法(FZ法)によりシリコン単結晶を育成する際にガスドーピングすることにより前記育成するシリコン単結晶の電気抵抗率を第一の抵抗率ρoとし、該育成されたシリコン単結晶に中性子照射を行うことによりシリコン単結晶の電気抵抗率を第二の電気抵抗率ρsとすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B29/06 ,  C30B13/12

FI (3件)：

C30B29/06 501A ,  C30B29/06 B ,  C30B13/12

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BA04 ,  4G077CE03 ,  4G077EB01 ,  4G077EB04 ,  4G077FH06 ,  4G077NA05