特許
J-GLOBAL ID：200903065725585632
半導体記憶装置とその消去書き込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070086
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234386
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 広い温度範囲で半導体不揮発性メモリに対して最適な電圧条件で消去と書き込み動作を行う。【構成】 一導電型の半導体基板に互いに離間して形成した逆導電型のソース領域とドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に複数層のゲート絶縁膜とゲート電極とを順次形成したゲート部よりなり、ゲート絶縁膜の少なくとも1つに電荷を捕獲する準位を有する不揮発性メモリトランジスタ67のゲート端子63と、基板端子65に接続したソース端子61との間に、デジタル温度検出回路51からのデジタル出力をメモリ回路55により第2のデジタル出力に変換してD/A変換器59に入力して得られるD/A変換器59からの電圧を印加して不揮発性メモリトランジスタ67の消去と書き込み動作を行う半導体記憶装置およびその消去書き込み方法。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板にお互いに離間して形成する半導体基板と逆導電型のソース領域およびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に複数層のゲート絶縁膜とゲート電極とを順次形成したゲート部よりなり、複数層のゲート絶縁膜の少なくとも1つに電荷を捕獲する準位を有する不揮発性メモリトランジスタと、温度情報をデジタル出力するためのデジタル温度検出回路と、デジタル温度検出回路の出力を第1のデジタル出力として、第1のデジタル出力を第2のデジタル出力へ変換するためのメモリ回路と、メモリ回路の出力である第2のデジタル出力を電圧へ変換するためのデジタル-アナログ変換器とを備えていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, H01L 27/10 481
