特許
J-GLOBAL ID：200903065731824983

絶縁膜加工法

発明者：
田原 傑

田原 傑 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213161
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055857
出願日： 1994年08月15日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜加工法において、微細パターンの孔や凹部を寸法精度よく形成可能にする。【構成】 層間絶縁膜24の上にTiN(又はTiON)膜26を形成した後、レジスト層をマスクとするドライエッチング処理によりTiN膜26に所望の接続孔24a〜24cに対応する孔を形成する。レジスト層を除去した後、TiN膜26をマスクとするドライエッチング処理により絶縁膜24に接続孔24a〜24cを形成する。レジスト層とTiN膜26との積層をマスクとして用いてもよい。基板上面に配線材を被着してパターニングすることにより接続孔24a〜24cに通ずる1又は複数の配線層を形成する。TiN膜26は、残しておいて配線の一部として用いてもよい。
請求項（抜粋）：
基板の表面を覆う絶縁膜の上に反射防止用の導電材層を形成する工程と、前記導電材層の上にフォトリソグラフィ処理により所望パターンの孔を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をマクスとするドライエッチング処理により前記導電材層に前記レジスト層の孔に対応する孔を形成する工程と、前記レジスト層を除去した後、前記導電材層をマスクとするドライエッチング処理により前記絶縁膜に前記導電材層の孔に対応する孔又は凹部を形成する工程とを含む絶縁膜加工法。
IPC (2件)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 J
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM