特許
J-GLOBAL ID:200903065733231467

集束イオンビーム加工観察装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-303928
公開番号(公開出願番号):特開平11-144659
出願日: 1997年11月06日
公開日(公表日): 1999年05月28日
要約:
【要約】【課題】様々な材料の薄膜試料作製において、変形のない試料を作製できること。【解決手段】試料加工部の変形を薄膜部内に切り込みを入れることにより応力を緩和させる。
請求項(抜粋):
集束イオンビーム加工観察装置(以下FIB:Focused Ion Beam System と称す。)による薄膜試料作製において、照射イオンビームによる応力を緩和させるため、試料薄膜部の片側および両側へ切り込みを入れることを特徴とするFIB。
IPC (3件):
H01J 37/20 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/3065
FI (3件):
H01J 37/20 F ,  H01J 37/317 Z ,  H01L 21/302 D

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