特許
J-GLOBAL ID：200903065735489178
針状単結晶の作製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253605
公開番号（公開出願番号）：特開平5-085899
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：
【要約】【目的】 基板結晶の所定の位置に針状単結晶を成長させる。【構成】 核となる原子を基板結晶1の所定の位置に埋め込み、その後、基板結晶1の表面にノズル10から原料元素を供給し、埋め込まれた原子を核としてエピタキシャル成長を行わせる。
請求項（抜粋）：
基板結晶の表面に近接させた導電性の針に電圧を印加し、該針の先端と前記基板結晶の表面との間に存在する気体または液体に含まれる原子をイオン化して前記針の先端の電界による反発力によって前記基板結晶の表面に前記イオン化された原子を埋め込み、しかる後埋め込まれた前記原子を核として前記基板結晶と同種または異種の針状単結晶を前記基板結晶表面にエピタキシャル成長させることを特徴とする針状単結晶の作製法。
IPC (2件)：
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