特許
J-GLOBAL ID:200903065737809757
希土類-オキシスルフィドの高密度シンチレーションセラミックの製法及びレントゲンコンピューター断層撮影用セラミック体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-184740
公開番号(公開出願番号):特開平6-206769
出願日: 1993年07月27日
公開日(公表日): 1994年07月26日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 高エネルギーの放射線、例えばレントゲン線、ガンマー線及び電子線の検出のための非単結晶材料のシンチレーター体の製造法の提供。【構成】 希土類-オキシスルフィドのシンチレーターセラミックを製造するために、一般的な組成式(M1-xLnx)2O2S[式中、MはY、La及びGdの群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、LnはEu、Ce、Pr、Tb、Yb、Dy、Sm及びHoの群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、かつxは1×10~6≦×≦2×10~1の範囲である]を有し、かつBETによる比表面積少なくとも10m2/gを示す顔料粉末を一軸ホットプレスにより圧縮成形して理論密度の少なくとも99.9%の密度を有する半透明のセラミック体とする。
請求項(抜粋):
希土類-オキシスルフィドの高密度シンチレーションセラミックを製造する際に、一般的な組成式(M1-xLnx)2O2S[式中、Mは、Y、La及びGdの群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、LnはEu、Ce、Pr、Tb、Yb、Dy、Sm及びHoの群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、かつxは1×10~6≦×≦2×10~1の範囲である]の顔料粉末を準備し、この粉末はBETによるガス吸着法により決定した表面積少なくとも10m2/gを示し、かつこの粉末を一軸ホットプレスにより圧縮成形して理論密度の少なくとも99.9%の密度を有する半透明のセラミック体とすることを特徴とする希土類-オキシスルフィドの高密度シンチレーションセラミックの製法。
IPC (5件):
C04B 35/50
, A61B 6/00 300
, C09K 11/00
, C09K 11/84 CPD
, G01T 1/20
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特開平3-243686
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特開昭61-127670
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特開平2-229764
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特開昭62-275072
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審査官引用 (4件)
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特開平3-243686
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特開昭61-127670
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特開平2-229764
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