特許
J-GLOBAL ID：200903065739081475
半導体ガスレートセンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158329
公開番号（公開出願番号）：特開2000-346861
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 ガス流路の壁面による影響を低減し、検出感度を向上させる。【解決手段】 半導体基板1,2にノズル孔3,ガス通路4をエッチング加工等の方法で形成し、そのガス流路に感熱抵抗素子としてのヒートワイヤ対51と53および52と54を設けることで、全方向の角速度を検出可能とする。ヒートワイヤ対は、2対以上とすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板にガスを導入し案内するためのノズル孔とガス流路とを形成し、そのガス流路に感熱抵抗素子からなるヒートワイヤを配置した半導体ガスレートセンサにおいて、前記ノズル孔およびガス流路を、ガス流が前記半導体基板に対し垂直方向となるように形成したことを特徴とする半導体ガスレートセンサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 9/00 A
, G01C 19/00 A
