半導体ウェーハの分離システム、分離方法及びダイシング装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159262
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353170
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェーハの表面に裏面まで貫通しないダイシング溝を形成してから裏面を研削してダイシング溝を表出させることにより個々のチップに分離するいわゆる先ダイシングにおいて、研削工程まで半導体ウェーハを損傷させることなく搬送する。【解決手段】半導体ウェーハの表面のストリートに裏面まで貫通しないダイシング溝を形成するダイシング領域11と、ダイシング溝が形成された表面に保護テープを貼着するテープ貼着領域12と、半導体ウェーハの裏面をダイシング溝が表出するまで研削する研削領域13とから構成され、ダイシング領域11において、ダイシング溝形成後に裏面側から半導体ウェーハを搬送トレーで支持し、テープ貼着領域12または研削領域13において、研削領域13における裏面の研削前に、搬送トレーを半導体ウェーハから離脱させることを特徴とする半導体ウェーハの分離システム10を提供する。

請求項（抜粋）：

ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路毎のチップに分離する半導体ウェーハの分離システムであって、該ストリートに裏面まで貫通しないダイシング溝を形成するダイシング領域と、該ダイシング溝が形成された表面に保護テープを貼着するテープ貼着領域と、該半導体ウェーハの裏面を該ダイシング溝が表出するまで研削する研削領域とから構成され、該ダイシング領域において、該ダイシング溝形成後に該裏面側から該半導体ウェーハを搬送トレーで支持し、該研削領域における該裏面の研削前に、該搬送トレーを該半導体ウェーハから離脱させることを特徴とする半導体ウェーハの分離システム。

IPC (3件)：

H01L 21/301 , H01L 21/304 631 , H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/304 631 , H01L 21/68 N , H01L 21/78 Q

Fターム (12件)：

5F031CA02 , 5F031DA13 , 5F031DA15 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031FA15 , 5F031GA43 , 5F031MA34 , 5F031MA37 , 5F031MA38

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