特許

J-GLOBAL ID：200903065743750195

レジストパターン形成方法

発明者： 田中 稔彦 ,  森上 光章 ,  渡邊 健夫 ,  東川 巌
出願人/特許権者： 株式会社ソルテック
代理人 (1件)： 吉原 省三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146873
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163391
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 微細なレジストパターンやアスペクト比の高いレジストパターンを形成する場合に、パターン倒れの発生を有効に防止せんとするものである。【構成】 レジストパターン2a、2b現像時のリンス工程で、乾燥時に揮発して基板上に残らない界面活性剤を含むリンス液5を用いて、リンス処理を行なう。

請求項（抜粋）：

レジストパターン現像時のリンス工程で、乾燥時に揮発して、レジストパターンの形成されるべき基板上には残らない界面活性剤が含まれるリンス液を用いて、リンス処理を行なうことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-043826
  
• 特開平3-215867
  
• 特開昭62-187347
  
• 特開平3-182756