特許

J-GLOBAL ID：200903065744246032

3族窒化物半導体素子製造方法

発明者： 太田 啓之 ,  木村 義則 ,  宮地 護
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-361147
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183465
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 結晶層p型化のための熱処理工程において、2族元素を添加した3族窒化物半導体からなる結晶層における正孔濃度を向上させかつ処理の低温化を可能とする3族窒化物半導体素子製造方法を提供する。【解決手段】 3族窒化物半導体素子の製造方法において、2族元素を添加した3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層を形成する工程と、熱処理雰囲気中において該結晶層を所定温度範囲に加熱し、所定温度範囲に維持されている期間の少なくとも一部の期間において、熱処理雰囲気中へ炭化水素ガスを添加する熱処理工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体素子の製造方法であって、2族元素を添加した3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層を形成する工程と、熱処理雰囲気中において前記結晶層を所定温度範囲に加熱し、前記所定温度範囲に維持されている期間の少なくとも一部の期間において、前記熱処理雰囲気中へ炭化水素ガスを添加する熱処理工程と、を含むことを特徴とする製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 R

Fターム (25件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F045EK14 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35