特許
J-GLOBAL ID:200903065744334225

嵌合型接続端子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-110896
公開番号(公開出願番号):特開平10-302865
出願日: 1997年04月28日
公開日(公表日): 1998年11月13日
要約:
【要約】【課題】 安定した挿入力特性が得られる嵌合型接続端子の製造方法を提供する。【解決手段】 母材2の銅の表面に錫めっき層3を形成した後、170°C以上290°C以下で熱処理を行い、錫めっき層3を銅錫金属間化合物層3aに完全に変換する。そして、当該金属間化合物層3a上に、錫めっき層4を薄く形成する。最初に形成した錫めっき層3は全て合金化すればよいので熱処理条件の管理は極めて容易であり、さらにその金属間化合物層3a上への錫めっき層4の厚さは薄いため誤差の幅も小さな範囲内に収めることができる。すなわち、錫めっき層4の厚さを容易に均一にすることができ、その結果、安定した挿入力特性が得られる。
請求項(抜粋):
雄部品および雌部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子の製造方法であって、(a) 前記雄部品および前記雌部品の母材の表面に第1の錫めっき層を形成する第1めっき工程と、(b) 前記第1の錫めっき層と前記母材とを反応させて前記第1の錫めっき層を完全に金属間化合物層に変換する合金化工程と、(c) 前記金属間化合物層の表面に第2の錫めっき層を形成する第2めっき工程と、を備えることを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。
IPC (3件):
H01R 13/03 ,  C25D 7/00 ,  H01R 43/16
FI (3件):
H01R 13/03 D ,  C25D 7/00 G ,  H01R 43/16
引用特許:
審査官引用 (3件)

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