特許
J-GLOBAL ID：200903065763154769
光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134870
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335551
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザと電界型光変調器との集積化を容易に行なうことができ、変調器の駆動電圧を低下させることにより高速動作可能とした光半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板上にエネルギー準位の異なる2種類の多重量子井戸を積層し、その半導体レーザとなる領域では両者の多重量子井戸を存在させ、その光変調器の領域ではエネルギー準位の小さい方の多重量子井戸を除去し、歪超格子よりなる多重量子井戸で構成した。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、それぞれ組成の異なる多数の半導体薄膜が積層されてなる第1の多重量子井戸層と、第2の多重量子井戸層とが形成されてなり、前記第2の多重量子井戸層がその下に位置する前記第1の多重量子井戸層のエネルギー準位よりも小さいエネルギー順位を有するとともに、前記第2の多重量子井戸層を構成する半導体積層体が、半導体薄膜の面方向に沿って光が進行する方向に部分的にしか存在していないことを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/15
, G02F 1/025
, H01S 3/18
