特許

J-GLOBAL ID：200903065765039290

半導体装置を製造するための製造装置及び製造方法

発明者： 佐藤 哲夫 ,  松本 順子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-018164
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213360
出願日： 1995年02月06日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 ウェーハ1上に形成されたアルミニウムをエッチングする際に生成されるウェーハの腐食性生成物を除去する効果を高める。【構成】 ウェーハ1から放出された塩素化合物5やフッ素化合物6等の腐食性生成物を吸着板11で吸着する。【効果】 ウェーハ1の周囲の雰囲気の腐食性生成物を減少させることができ、ウェーハ1に再度付着する腐食性生成物を減らしてウェーハ1から腐食性生成物を除去する効果を高めることができる。

請求項（抜粋）：

ウェーハを加熱する加熱手段と、加熱された前記ウェーハから発生する腐食性生成物を吸着する吸着手段と、前記加熱手段及び前記吸着手段をその内部に保持するとともに、前記加熱手段及び前記吸着手段の周囲の雰囲気を外気から遮断するためのチャンバとを備える、半導体装置を製造するための製造装置。