特許

J-GLOBAL ID：200903065767390092

静電チヤツク及び静電チヤツクに対する電圧印加方法

発明者： 渡部 俊也 ,  北林 徹夫
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
代理人 (1件)： 下田 容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186854
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013555
出願日： 1991年07月01日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 静電チャックの絶縁層からウエハへ遷移金属やアルカリ金属等の不純物が拡散または混入するのを防止する。【構成】 基板1はAl2O3、Si3N4、AlN或いはSiC等を材料とし、絶縁層2はAl2O3にTiO2或いはCr2O3等の遷移金属酸化物を絶縁抵抗値の調整用として添加したものを材料としている。そして、保護膜6はSi3N4、SiC、SiO2等の半導体ウエハWの材料であるSiを主成分としている。

請求項（抜粋）：

基板とこの基板上に積層される絶縁層との間、若しくは絶縁層内に設けた内部電極に電圧を印加することで生じる静電力で半導体ウエハ等の被吸着体を吸着するようにした静電チャックにおいて、吸着面となる前記絶縁層の表面に絶縁層からウエハへ不純物が拡散または混入するのを防止する保護膜を形成したことを特徴とする静電チャック。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-057446
  
• 特開昭62-094953
  
• 特開平3-003251