特許

J-GLOBAL ID：200903065768109770

水素ガスセンサ及びその製造方法

発明者： 北川 宏 ,  藤島 武蔵
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (2件)： 平山 一幸 ,  海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-186931
公開番号（公開出願番号）：特開2004-028838
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】室温で使用できると共に、高精度で水素ガスを検知することができるようにした、水素ガスセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】配位高分子金属錯体(R2 dtoaM)を水素を感知する媒体とするセンサ素子11と、このセンサ素子の電気抵抗を測定する測定手段12とから水素ガスセンサ10を構成する。配位高分子金属錯体は、(C3 H6 OH)2 dtoaCu,(C2 H4 OH)2 dtoaCu,H2 dtoaCuなどでよい。この水素ガスセンサ10は、室温で使用できると共に、水素の吸蔵に伴って電気抵抗率が約9桁程度減少するので、高感度で水素ガスの検知を行なうことができる。さらに(C3 H6 OH)2 dtoaCuを用いた水素ガスセンサの製造方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

配位高分子金属錯体R2 dtoaM(ここで、Mは金属)を水素を感知する媒体とするセンサ素子と、このセンサ素子の電気抵抗を測定する測定手段と、から構成されていることを特徴とする、水素ガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N27/12 ,  C07F1/08

FI (3件)：

G01N27/12 C ,  G01N27/12 M ,  C07F1/08 D

Fターム (17件)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA02 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046FA01 ,  2G046FE09 ,  2G046FE11 ,  2G046FE12 ,  2G046FE25 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB91 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10