特許
J-GLOBAL ID：200903065772640374
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031445
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240465
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 素子が微細化されても、信頼性を損なうことなく半導体装置及び半導体装置の製造方法を得る。【構成】 第1の配線1と、第1の配線1上に形成された層間絶縁膜2と、層間絶縁膜2に形成された接続孔3と、接続孔3に埋め込まれ少なくとも上面及び側面の一部が実効層間絶縁膜2aより露出して形成されたメタルプラグ6と、メタルプラグ6を覆うように形成された第2の配線10とを備える。
請求項（抜粋）：
第1の導電部と、上記第1の導電部上に形成された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜に形成された接続孔と、上記接続孔に埋め込まれ少なくとも上面及び側面の一部が上記層間絶縁膜上面より露出して形成されたメタルプラグと、上記メタルプラグを覆うように形成された第2の導電部とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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