特許

J-GLOBAL ID：200903065775640634

半導体表面処理方法及び装置

発明者： 高林 明治 ,  中川 克己 ,  竹内 栄治
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186494
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036621
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【構成】 ドーパント元素を含む蒸発源を蒸発させ粒子化し、該粒子を水素またはハロゲンガスプラズマにさらすことにより一部または全部をイオン化してドーパントイオン種と水素またはハロゲンガスイオン種との共存状態を形成し、水素またはハロゲンガスイオン種により半導体表面をエッチングしてドーパントイオン種による膜堆積を防ぐとともに、表面エネルギーを高めてドーパントイオン種による表面打ち込み及び拡散を促進させ不純物のドーピングを行なう。【効果】 特性の優れたp型またはn型の半導体を大面積にわたり均一性よく、短い処理時間で製造することができ、特に高性能な太陽電池や液晶ディスプレーの様な大面積の半導体デバイスの低コストでの製造を可能とした。また、大面積化が容易なため量産性の高いロールトゥロール装置にも応用でき、大幅なスループットアップ及び低コスト化が可能となった。

請求項（抜粋）：

減圧にされた半導体表面処理室内に於いて、ドーパント元素を含む蒸発源を熱エネルギーにより蒸発させることにより粒子化し、該粒子を水素またはハロゲンガスプラズマにさらすことにより一部または全部をイオン化してドーパントイオン種と水素またはハロゲンガスイオン種との共存状態を形成することにより、水素またはハロゲンガスイオン種により半導体表面をエッチングしてドーパントイオン種による膜堆積を防ぐとともに、表面エネルギーを高めてドーパントイオン種による表面打ち込み及び拡散を促進させ不純物のドーピングを行なうことを特徴とする半導体表面処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 311 P ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 A