特許

J-GLOBAL ID：200903065776837385

バイアス荷電部材の製造方法

発明者： アイホー ダブリュ ターナウィスキー ,  コック-イー ロー ,  マーチン エー アブコヴィッツ ,  フレデリック イー ニアー ジュニア ,  ジェームス ビー マリボースキー
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレーション
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233597
公開番号（公開出願番号）：特開2001-150606
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】 優れた電気的、機械的特性を備え、画像形成部材へのにじみ汚れが少なく、優れた摩耗特性を示すバイアス荷電部材を提供する。【解決手段】 外層材料にフッ素化炭素10と酸化亜鉛11とを混合して充填外層材料とし、支持基板上に1層以上の充填外層5を形成する、支持基板上に外層5を形成する方法である。これを用いて、画像形成部材へのにじみ汚れを少なく、あるいは無くすることができる。

請求項（抜粋）：

支持基板上に外層を形成する方法であって、a)外層材料にフッ素化炭素と酸化亜鉛とを混合して、充填外層材料とする工程と、b)次に、前記支持基板上に、1層以上の前記充填外層を形成する工程と、を含むことを特徴とする方法。

IPC (13件)：

B32B 27/20 ,  B32B 27/30 ,  C08L 15/02 ,  C08L 27/12 ,  C08L 77/00 ,  C08L 79/08 ,  F16C 13/00 ,  G03G 15/02 101 ,  G03G 15/08 501 ,  G03G 15/16 103 ,  C08K 3/22 ,  C08K 5/02 ,  C08L101/00

FI (15件)：

B32B 27/20 Z ,  B32B 27/30 D ,  C08L 15/02 ,  C08L 27/12 ,  C08L 77/00 ,  C08L 79/08 Z ,  F16C 13/00 A ,  F16C 13/00 E ,  F16C 13/00 Z ,  G03G 15/02 101 ,  G03G 15/08 501 D ,  G03G 15/16 103 ,  C08K 3/22 ,  C08K 5/02 ,  C08L101/00