特許

J-GLOBAL ID：200903065778896168

半導体装置の製造方法

発明者： 薮田 光男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096450
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299202
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置のレジストパターンの細線化をすることを容易にする。【解決手段】 まず、化学増幅型レジストを用いて、基板2上に1次パターン1を形成する。このとき、1次パターン1は、所望のレジストパターンの幅より太目の幅で形成する。次に、改質材3を基板上に塗布する。このとき、1次パターン1を覆う程度に改質材3を塗布する。次に、ベーキングする。このとき、改質材3は1次パターンの側壁部分に拡散し(A部分)、拡散した部分を溶解可能とさせる。次に、リンスをする。1次パターンの溶解可能部分と、改質材3を除去する。これにより、レジストパターンの細線化を行う。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、化学増幅型レジストによりレジストパターンを形成し、前記レジストパターンに前記レジストパターンを溶解可能にする改質材を塗布し、前記改質材とベーキングにより前記レジストパターンの側壁を溶解可能にさせ、前記改質材と、前記改質材とベーキングにより前記レジストパターンの側壁を溶解可能にさせた部分とを除去する手順と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 511

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570

Fターム (16件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA14 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F046AA28