特許

J-GLOBAL ID：200903065786313775

プロトン伝導体及びその製造方法、並びにこれを用いた電気化学デバイス

発明者： 日隈 弘一郎 ,  ピーツアック ビヨルン ,  ロスト コンスタンス ,  阿多 誠文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000004864
公開番号（公開出願番号）：WO2001-006519
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2001年01月25日
要約：

【要約】炭素を主成分とする炭素質材料を母体とし、これにプロトン解離性の基が導入されてなるプロトン伝導体である。このプロトン伝導体においては、プロトン解離性の基を介してプロトンが移動する。また、このプロトン伝導体は、イオン伝導性が電子伝導性よりも大である。母体となる炭素質材料には、フラーレンやチューブ状炭素質(いわゆるカーボンナノチューブ)等の炭素クラスターや、ダイヤモンド構造を有する炭素質材料等が用いられる。

請求項（抜粋）：

炭素を主成分とする炭素質材料を母体とし、これにプロトン解離性の基が導入されていることを特徴とするプロトン伝導体。

IPC (3件)：

H01B 1/06 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10

FI (3件)：

H01B 1/06 A ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10