特許
J-GLOBAL ID：200903065790373871
半導体装置の製造方法およびその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225963
公開番号（公開出願番号）：特開平6-076783
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】この発明は、イオン注入の際、チャネリングを防止するために入射角度θを設けても、シャドウイング現象によるオフセットの発生を防止する。【構成】ステ-ジ21は底部21b および傾斜部21c から構成されており、前記傾斜部21c は底部21b に対して所定の角度θを上方に傾けて形成されている。前記傾斜部21c の上に第1乃至第4のウェ-ハステ-ジ22〜25を設け、これらウェ-ハステ-ジ22〜25それぞれの上に第1乃至第4のウェ-ハ26〜29を載置する。このような構成において、前記ステ-ジ21を第1の矢印31の方向に回転させるとともに、前記ウェ-ハステ-ジ22〜25それぞれを第2乃至第5の矢印32〜35の方向に回転させる。次に、前記ステ-ジ21の上方に設けられた図示せぬイオン注入源から不純物イオンを前記ウェ-ハ26〜29に注入している。従って、シャドウイング現象によるオフセットの発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
第1のステ-ジを回転させるとともに、この第1のステ-ジの上に設けられ、ウェ-ハを保持する第2のステ-ジを回転させる工程と、前記回転しているウェ-ハにイオン注入源から斜めに不純物イオンを入射する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, C23C 14/50
, H01L 21/265
