特許
J-GLOBAL ID：200903065793954255
半導体レーザ素子及びレーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282493
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112089
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 異なる波長のレーザ光を複数使用する場合の装置構成を簡略化して、その小型化を図る。【解決手段】 ストライプ32,42は、レーザ素子チップ30,40のいずれか一方に偏った位置に形成される。これらの発光波長が異なる2種類の素子30,40のチップは、それらのストライプ32,42がほぼ平行であって、かつ互いに近接するように配置される。このため、各素子の発光点が近接するようになる。これにより、発光点の間隔が100μm程度以下となるため、それらを一つの発光点と見做すことができる。従って、レーザ素子30,40からそれぞれ出力される波長の異なるレーザ光を、一つの光学系で処理することが可能となる。
請求項（抜粋）：
ストライプ構造の半導体レーザ素子において、発光点がチップ端部に位置するように、前記ストライプ構造をチップ中心から偏った位置に形成したことを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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