特許
J-GLOBAL ID：200903065795216472
薄膜トランジスタ液晶表示装置およびその駆動法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322497
公開番号（公開出願番号）：特開平8-179371
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタ液晶表示装置において、ソース電圧振幅の低減を目的とする。【構成】 ゲート配線1、ソース配線2、蓄積容量配線3、薄膜トランジスタ6、ドレイン電極4、対向電極7、複数の副画素電極5a、5b、転移容量8、液晶容量9a、9bが存在する薄膜トランジスタ液晶表示装置で、蓄積容量配線が複数の副蓄積容量配線からなり、各副画素電極と各副蓄積容量配線間毎に蓄積容量10a、10bを有し、薄膜トランジスタのオン期間にソース電極の電位がドレイン電極に伝達され、オフ期間に各副蓄積容量配線、対向電極の電位が変化して、各副画素電極の電位が変調される。
請求項（抜粋）：
第1の基板上にゲート配線、ソース配線、蓄積容量配線がマトリクス状に形成され、前記ゲート配線と前記ソース配線との各交点にドレイン電極、画素電極、および、前記ゲート配線の電位により前記ソース配線と前記ドレイン電極の導通を調節する薄膜トランジスタが形成され、前記第1の基板に対向して設置された第2の基板上に対向電極が形成され、前記画素電極が複数の副画素電極から形成され、前記ドレイン電極と各前記副画素電極間毎に転移容量が存在し、各前記副画素電極と前記対向電極間毎に液晶容量が存在する薄膜トランジスタ液晶表示装置で、蓄積容量配線が複数の副蓄積容量配線から形成され、各前記副画素電極と各前記副蓄積容量配線間毎に蓄積容量を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
