特許
J-GLOBAL ID：200903065795352864
電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053191
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246529
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 従来のHEMTに比べ、ゲートリーク電流を低減化することによって、特性を向上させ、かつ素子寿命の長いHEMTを提供する。【解決手段】 HEMT構造のオーミックコンタクト層108とショットキーコンタクト層106の間に、電子親和力がショットキーコンタクト層より0.1eV以上小さいバリア層107を挿入することによって、ゲートリーク電流を大幅に抑制する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板上に、チャネル層,電子供給層及びショットキーコンタクト層が少なくとも設けられれた化合物半導体からなる電界効果トランジスタにおいて、前記ショットキーコンタクト層上に設けられ、かつ前記ショットキーコンタクト層より電子親和力が0.1eV以上小さいバリア層と、少なくとも前記バリア層より上の層として設けられ、かつ前記バリア層より電子親和力が大きいオーミックコンタクト層と、前記ショットキーコンタクト層上に形成されたゲート電極とを備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
