特許

J-GLOBAL ID：200903065800587220

半導体装置およびその製造方法

発明者： 梨本 泰信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055454
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232338
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 発熱量の大きな高出力GaAsFETの出力電力の増大に伴う発熱を効率よく放熱し、高周波特性および信頼性の向上を得る。【解決手段】 GaAs基板にGaAsと熱膨張係数が近くかつGaAsより熱伝導率の高い高熱伝導性絶縁体5としてAIN板を貼り付け、GaAs基板を10μm以下に薄層化し、その後、FETをGaAsデバイス形成層2a上に形成する。更に、所望の厚さにAIN板を薄く加工した後、ペレッタイズして、パッケージ11等のヒートシンクにマウントする。

請求項（抜粋）：

表面にFET等の素子を有する薄層化された半導体の裏面に、該半導体と熱膨張係数がほぼ同じでかつ該半導体より熱伝導率が高く、薄層化された高熱伝導性絶縁体が共晶合金で接着された構造を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/40

FI (3件)：

H01L 29/80 G ,  H01L 23/40 F ,  H01L 29/80 B