特許

J-GLOBAL ID：200903065803611939

半導体集積回路装置

発明者： 藤井 貴子 ,  奥山 幸祐 ,  久保田 勝彦 ,  高橋 強 ,  井瀬 潔 ,  山田 浩士 ,  竹田 敏文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-276233
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214893
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 配線層間を接続するための接続孔およびその近傍におけるEM耐性を向上させることのできる技術を提供することにある。【解決手段】 接続孔TH1 において電流の流れる方向に直交する方向の長さYが、電流の流れる方向に水平な方向の長さXよりも長く形成されている。これにより、接続孔TH1 部分において電流を分散させることができ、接続孔TH1 およびその近傍の配線部分において電流密度が局所的に高密度となるのを抑制することが可能な構造となっている。

請求項（抜粋）：

互いに平行に配置された上下2層の配線の重なり領域に配置され、前記上下2層の配線を電気的に接続する接続孔において、前記配線に流れる電流の方向に交差する面の面積が、前記配線に流れる電流の方向に沿う面の面積よりも大きくなるように、前記接続孔を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。