特許
J-GLOBAL ID：200903065806063860
半導体光導波素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102198
公開番号（公開出願番号）：特開平8-297263
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】 高機能及び多機能の光源、受光素子等に適用可能な半導体光導波素子を提供すること。【構成】 活性層を有する第1の半導体光導波層及び前記活性層より十分に禁制帯幅が広い材料からなる第2の半導体光導波層から構成される光導波路と、前記活性層に電流を注入する手段と、前記第2の半導体光導波層のバンド内吸収の共鳴波長を電気的に制御する手段とを具備し、前記第2の半導体光導波層のバンド内吸収の共鳴波長は、前記活性層への電流注入により生じる誘導放出利得波長帯域内に設定されていることを特徴とする半導体光導波素子。
請求項（抜粋）：
活性層を有する第1の半導体光導波層及び前記活性層より十分に禁制帯幅が広い材料からなる第2の半導体光導波層から構成される光導波路と、前記活性層に電流を注入する手段と、前記第2の半導体光導波層のバンド内吸収の共鳴波長を電気的に制御する手段とを具備し、前記第2の半導体光導波層のバンド内吸収の共鳴波長は、前記活性層への電流注入により生じる誘導放出利得波長帯域内に設定されていることを特徴とする半導体光導波素子。
IPC (4件)：
G02F 1/025
, G02B 6/12
, H01S 3/18
, H01S 3/19
G02F 1/025
, H01S 3/18
, H01S 3/19
, G02B 6/12 J
