特許

J-GLOBAL ID：200903065807217968

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 反田 真之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044543
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254721
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】基板上の電極層の表面に簡単な方法で凹凸構造を形成して光を散乱させ、光電変換層に再入射させて変換効率の高い薄膜太陽電池を得る。【構成】高分子材料よりなる基板の表面をプラズマ処理すると凹凸構造ができ、その上に成膜した電極層の表面にも凹凸構造が生ずるので、簡単に電極層粗面化が可能になる。さらに、プラズマ処理の条件を変えることにより、凹凸構造の形状を制御することもできる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に基板より遠い側が透明電極層である二つの電極層にはさまれた光電変換層を有する薄膜太陽電池の製造方法において、基板表面を粗面化したのちその上に一つの電極層を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-181975