特許
J-GLOBAL ID：200903065808163810
酸化物強誘電薄膜の製造方法および酸化物強誘電材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200061
公開番号（公開出願番号）：特開平6-048895
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：
【要約】【構成】 本発明は、基板上に、緩衝層として〔0001〕方向に配向した酸化亜鉛薄膜を形成後、該緩衝層表面上に酸化物強誘電薄膜を〔111〕方向に配向させて成長させたことを特徴とする酸化物強誘電薄膜の製造方法である。【効果】 本発明では、著しく高い原子拡散抑制の能力を持つと同時に酸化物強誘電材料をエピタキシャル成長させるのに適した格子定数を持った酸化亜鉛薄膜を緩衝層として用いているので、シリコン基板上に直接酸化物強誘電薄膜を形成できるのみでなく、表面に酸化珪素膜を持つシリコン基板、ガリウム砒素基板などにも酸化物強誘電薄膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
基板上に、緩衝層として〔0001〕方向に配向した酸化亜鉛薄膜を形成後、該緩衝層表面上に酸化物強誘電薄膜を〔111〕方向に配向させて成長させたことを特徴とする酸化物強誘電薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/22
, C30B 23/02
, C30B 25/18
, H01B 3/00
